onsemi MOSFET canal N, SSOT-6 5,5 A 30 V, 6 broches
8V, Dissipation de puissance maximum: 1,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 1mm, MPN: FDC645N.onsemi MOSFET canal N, SSOT-6 5,5 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 48 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.