onsemi MOSFET canal P, ChipFET 6,7 A 20 V, 8 broches
1mm, Longueur: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1.1mm, MPN: NTHS4101PT1G.onsemi MOSFET canal P, ChipFET 6,7 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 52 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.