onsemi MOSFET canal P, SOT-223 3,4 A 30 V, 3 broches
onsemi MOSFET canal P, SOT-223 3,4 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.6mm, Longueur: 6.5mm, MPN: FDT458P.