onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 6 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: FDC6312P.onsemi MOSFET canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 115 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.