Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 65 A 100 V, 8 broches
4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SIR668DP-T1-RE3.Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 65 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,05 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.