IXYS MOSFET canal N, TO-3PN 28 A 600 V, 3 broches
IXYS MOSFET canal N, TO-3PN 28 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 260 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 695 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.3mm, Longueur: 15.8mm, MPN: IXFQ28N60P3.