Microchip MOSFET canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches
8V, MPN: TN2106K1-G.Microchip MOSFET canal N, TO-236 280 mA 60 V, 3 broches, Type de boîtier: TO-236AB, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 360 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.