Infineon MOSFET canal P, TSOP-6 2 A 30 V, 6 broches
Infineon MOSFET canal P, TSOP-6 2 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: BSL308PEH6327XTSA1.