Infineon MOSFET canal P, SOT-23 1,6 A 30 V, 3 broches
Infineon MOSFET canal P, SOT-23 1,6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 130 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, MPN: BSS308PEH6327XTSA1.