Vishay MOSFET canal N, PowerPAK 1212-8 30 A 30 V, 8 broches
4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SISA10DN-T1-GE3.1V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -16 V, +20 V, Longueur: 3.Vishay MOSFET canal N, PowerPAK 1212-8 30 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.