Vishay MOSFET canal P, 1206 ChipFET 3,8 A 20 V, 8 broches
Vishay MOSFET canal P, 1206 ChipFET 3,8 A 20 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 156 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI5935CDC-T1-GE3.4V, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 3.