onsemi MOSFET canal P, SOT-363 700 mA 12 Mo, 6 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDG6316P.onsemi MOSFET canal P, SOT-363 700 mA 12 Mo, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 650 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.