5mm, 1 Rangée(s), Femelle Angle droit, montage SMT 52746, Matériau du contact: Bronze phosphoreux, Type de montage: Montage en surface, Courant: 500mA, Tension: 50 V, Placage du contact: Or sur nickel, Type de raccordement: A souder, Matériau du boîtier: Nylon, Température de fonctionnement maximale: +85°C, MPN: 52746-0871.Molex Connecteur FPC série Easy-On, 8 Contacts pas 0.

Schneider Electric Couvercle de protection contre les intempéries pour MIGTO 5310, MPN: HMIZECOV5.

Siemens SIRIUS D+MARREUR PROGRESSIF, VALEURS + 460V, 50 DEG.

ROHM Low Side, Low Side, Résistance RDS(on) de commutation: 25mΩ, Nombre de canaux: 1, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 5,5 V, Courant de fonctionnement maximum: 170µA, MPN: BV1LA025EFJ-CE2.

1W, Technologie: Film couche mince, MPN: TNPW040212K1BEED.1% 0.Vishay Résistance CMS, boitier 0402 (1005M) ± 0.

ROHM Diode Schottky et de redressement Montage en surface, Traversant, 2A, 30V, PMDE, Configuration de diode: Simple, Série: RB, MPN: RB068VWM-30TR.

Molex Connecteur IDC Femelle, 26 contacts, 1 rangée, pas 1.27mm, Montage en surface, série Picoflex, Orientation du corps: Droit, Type de raccordement: A souder, Courant: 1.

1W, Technologie: Film couche mince, MPN: TNPW040222K1BEED.Vishay Résistance CMS, boitier 0402 (1005M) ± 0.1% 0.

Vishay MOSFET canal P, Power PAK SC-70 4,5 A 12 V, Type de montage: CMS, MPN: SIA533EDJ-T1-GE3.

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SC-75 1,5 A 190 V, Type de montage: CMS, MPN: SIB452DK-T1-GE3.

7g/cm³, Recommandé: Applications architecturales, Portes, Extrusions, Agencement de commerces, Cadres de fenêtre, Conductivité thermique: 200W/mK. 1 1/4pouce H.

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 24,7 A 80 V, Type de montage: CMS, MPN: SIR120DP-T1-RE3.

3mm, série SDR0805, Diamètre: 7.Bourns Inductance bobinée CMS 10 μH, 2.3A max, 0805 (2012M), dimensions 7.8 (Dia.

3A max, 252009, dimensions 2.Bourns Inductance CMS multicouche 2,2 μH, 1.

7 x 12.7 x 8.

Vishay MOSFET canal N, PowerPAK SO-8 25 A 30 V, Type de montage: CMS, MPN: SIRA12DP-T1-GE3.

ROHM Diode Schottky et de redressement Montage en surface, Traversant, 1A, 200V, PMDE, Configuration de diode: Simple, Série: RFN, MPN: RFN1VWM2STR.

ROHM IGBT,, 55, 650 V, To-247GE, Tension Grille Emetteur maximum: ±30V, Dissipation de puissance maximum: 1,94 mW, Configuration: Simple, MPN: RGT60TS65DGC13.

125W, Technologie: Film couche mince, MPN: TNPW0603100KBEEN.

Vishay MOSFET canal N, A-263 120 A 40 V, Type de montage: CMS, MPN: SQM120N04-1M7L_GE3.

25W.

33W, Technologie: Film couche mince.

2MΩ, boitier 1210 (3225M) 0.RS PRO Résistance 1.1% 0.

33W.RS PRO Résistance 150kΩ, boitier 1210 (3225M) 0.1% 0.

RS PRO Résistance 390kΩ, boitier 1210 (3225M) 0.33W, Technologie: Film couche mince.

3P S203M-C0,5, MPN: 2CDS273001R0984 ABB DISJ. 3P S203M-C0,5.

Nichicon Condensateur électrolytique aluminium, Polymère conducteur hybride 68μF, 50V c.c., MPN: GYC1H220MCQ1GS.

Computer Grade;Screw;-10%,+75%;40WVDC;50SVDC.Computer Grade;Screw;-10%,+75%;40WVDC;50SVDC, MPN: CGS123U040R4C Cornell-Dubilier Capacitor, Al;12000uF;High Cap.

6 x 117.2mm, Dimensions: 22.2mm, Fonctions spéciales: Isolateur galvanique 4 voies, MPN: 1510470000.

) x 10mm, Température d'utilisation maximum: +150°C, MPN: GYD1V151MCQ1GS.Nichicon Condensateur électrolytique aluminium, Polymère conducteur hybride 150μF, 35V c., Capacité: 150µF, Type de montage: Montage en surface, Dimensions: 10 (Dia.