STMicroelectronics Diode traversante, 2A, 600V, DO-41
3V, Technologie de diode: Jonction au silicium, Temps de recouvrement inverse crête: 85ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 45A, MPN: STTH2L06.STMicroelectronics Diode traversante, 2A, 600V, DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de redressement: Commutation, Type diode: Redresseur, Chute minimale de tension directe: 1.