Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 broches
5mm, MPN: SI4559ADY-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N/P, SOIC 3,9 A, 5,3 A 60 V, 8 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 72 mΩ, 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, 3,4 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.