OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5
18pouce, Diamètre: 9.2A/W, Polarité: Inverse, Série: PIN, Temps de croissance: 0.OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 410nm, Fonction d'amplificateur: Non, Nombre de broches: 2, Longueur d'onde minimum détectée: 350nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1100nm, Taille: 0.14mm, Photosensibilité de pointe: 0.