IXYS MOSFET canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 broches
6mm, Longueur: 38.2mm, MPN: IXFN140N30P.IXYS MOSFET canal N, SOT-227 115 A 300 V, 4 broches, Type de boîtier: SOT-227B, Type de montage: Montage panneau, Résistance Drain Source maximum: 24 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 700 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 9.