MagnaChip MOSFET canal N, A-220 10 A 660 V, 3 broches
4V, Hauteur: 16.MagnaChip MOSFET canal N, A-220 10 A 660 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 700 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.51mm, MPN: MDP10N60GTH.