Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches
5mm, MPN: TK9J90E.Toshiba MOSFET canal N, TO-3PN 9 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 20mm, Longueur: 15.