onsemi MOSFET canal N/P, MicroFET 2 x 2 3,1 A, 3,7 A 20 V, 6 broches
6V, Dissipation de puissance maximum: 1,4 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 2mm, MPN: FDMA1032CZ.onsemi MOSFET canal N/P, MicroFET 2 x 2 3,1 A, 3,7 A 20 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de boîtier: MLP, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 68 mΩ, 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.