OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18
54A/W, Polarité: Inverse, Série: OSD, Temps de croissance: 10ns, MPN: OSD1-0.OSI Optoelectronics Photo diode,, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18, Pic de sensibilité de longueur d'onde: 900nm, Fonction d'amplificateur: Non, Nombre de broches: 2, Longueur d'onde minimum détectée: 350nm, Longueur d'onde maximum détectée: 1100nm, Taille: 0.33mm, Photosensibilité de pointe: 0.2pouce, Diamètre: 5.