onsemi MOSFET canal N, SOIC 8,9 A 80 V, 8 broches
onsemi MOSFET canal N, SOIC 8,9 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.5mm, MPN: FDS3572.