onsemi MOSFET canal N, PQFN8 116 A 80 V, 8 broches
5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 113,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.onsemi MOSFET canal N, PQFN8 116 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mO, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.