onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, DFN 316 A 40 V, 8 broches
onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N, DFN 316 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 166 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.