Vishay MOSFET canal P, SOT-23 1,75 A 80 V, 3 broches
02mm, Longueur: 3.04mm, MPN: SI2337DS-T1-GE3.Vishay MOSFET canal P, SOT-23 1,75 A 80 V, 3 broches, Type de boîtier: SOT-23 (TO-236), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 303 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.