Vishay MOSFET canal N, SOT-23 4,6 A 80 V, 6 broches
2V, Dissipation de puissance maximum: 3,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Hauteur: 1mm, MPN: SI3476DV-T1-GE3.Vishay MOSFET canal N, SOT-23 4,6 A 80 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 126 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.