Toshiba MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 8 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: TK8S06K3L.