IXYS MOSFET canal N, SOT-227 63 A 500 V, 4 broches
5V, Dissipation de puissance maximum: 780 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 38.23mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IXFN80N50Q3.IXYS MOSFET canal N, SOT-227 63 A 500 V, 4 broches, Type de montage: Montage à visser, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 6.