STMicroelectronics MOSFET canal N, H2PAK-2 2,5 A 1500 V, 3 broches
STMicroelectronics MOSFET canal N, H2PAK-2 2,5 A 1500 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 9 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 4.8mm, MPN: STH3N150-2.