Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 50 A 60 V, 3 broches
57mm, MPN: IPB081N06L3GATMA1.2V, Dissipation de puissance maximum: 79 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 4.Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 50 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 8,1 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.