Nexperia MOSFET canal N, DFN1010D-3 3,2 A 20 V, 4 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 8,33 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 8 V, Longueur: 1.Nexperia MOSFET canal N, DFN1010D-3 3,2 A 20 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 120 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 0.9V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.