Toshiba MOSFET canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, SC-67 3 A 900 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 4,3 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SK3564,S5Q(J.