Infineon MOSFET canal N, SOT-223 1,8 A 100 V, 3 broches
8V, Dissipation de puissance maximum: 1,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.8V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.Infineon MOSFET canal N, SOT-223 1,8 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 270 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, MPN: BSP372NH6327XTSA1.