onsemi MOSFET canal N, SOIC 4,5 A 100 V, 8 broches
onsemi MOSFET canal N, SOIC 4,5 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 123 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 2,5 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.9mm, MPN: FDS3992.575mm, Longueur: 4.