onsemi MOSFET canal P, MicroFET 2 x 2 7,8 A 20 V, 6 broches
4V, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMA510PZ.onsemi MOSFET canal P, MicroFET 2 x 2 7,8 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.