Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 60 V, 8 broches
Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 60 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,4 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 139 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 1.1mm, Longueur: 6mm, MPN: BSC016N06NSATMA1.