STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 650 V, 3 broches
4mm, MPN: STD6N60M2.STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 4,5 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 60 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 2.