IXYS MOSFET canal N, TO-264 66 A 850 V, 3 broches
IXYS MOSFET canal N, TO-264 66 A 850 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.5V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 kW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 20.