Toshiba MOSFET canal N, A-220 20 A 600 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, A-220 20 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 155 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 165 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 15.16mm, MPN: TK20E60W,S1VX(S.1mm, Longueur: 10.