Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, TO-220SIS 15,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 230 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 40 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 15mm, Longueur: 10mm, MPN: TK16A60W5,S4VX(M.