onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 267 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
82mm, Automobilstandard: AEC-Q101, Nennleistung: 51mJ, Gate-Kapazität: 1518pF, Betriebstemperatur max.82 x 20.87 x 4., 650 V 267 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Anzahl an Transistoren: 1, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.