onsemi MOSFET FQD13N10TM, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 2. Simple.6mm onsemi MOSFET FQD13N10TM, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.3mm, Longitud: 6.