Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SIHD11N80AE-T1-GE3.