Vishay E Series SiHG64N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 64 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
Vishay E Series SiHG64N65E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 64 A 520 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.2V, Betriebstemperatur max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.