Toshiba MOSFET TK100S04N1L, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C Toshiba MOSFET TK100S04N1L, VDSS 40 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.