Vishay Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx.
840nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines superficial, encapsulado QFN de 4 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 700nm, Tiempo de Bajada Típico: 30ns, Longitud: 5mm, Anchura: 4mm, Altura: 0.9mm, Estándar de automoción: AEC-Q101, Tensión de ruptura: 20V, MPN: VEMD5160X01. 840nm, mont.