onsemi MOSFET NVMYS010N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 38 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 17,6 meses, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1. Simple.2V, Disipación de Potencia Máxima: 28 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101 onsemi MOSFET NVMYS010N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 38 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config.