onsemi MOSFET FQPF3N80C, VDSS 800 V, ID 3 A, TO-220F de 3 pines,, config.
Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 39000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 9.19mm, Longitud: 10.16mm onsemi MOSFET FQPF3N80C, VDSS 800 V, ID 3 A, TO-220F de 3 pines,, config.