Microchip MOSFET TN2106N3-G, VDSS 60 V, ID 300 mA, TO-92 de 3 pines,, config.
6V, Disipación de Potencia Máxima: 740 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5.08mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Microchip MOSFET TN2106N3-G, VDSS 60 V, ID 300 mA, TO-92 de 3 pines,, config.Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.