onsemi MOSFET FQD13N10LTM, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6. Simple.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FQD13N10LTM, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.